平行平板式静电微执行器是最常见的静电微执行器。已有的解析模型表明[6， 12] 这类静电微执行器的Pull-in失稳位置发生在极板间距的三分之一处。但是，这一结果是在忽略平行平板漏电容基础之上得到的，漏电场的影响是不应忽略的。
Pull-in失稳问题是静电微执行器的关键问题，一直得到各国学者的格外重视。目前关于静电微执行器Pull-in 失稳的研究非常多，Pull-in失稳问题是典型的静电-结构变形搞合问题。当前的Pull-in失稳模型可以分为两大类:一是解析模型;一是数值模型。解析模型主要是针对一些几何形状简单的器件。由于相当多的 MEMS 器件核心构件就是几何形状规则简单的微梁、微板。所以，研究它们的解析模型具有非常重要的意义。而对于几何形状复杂的器件，只能采用有限元之类的数值方法，求解器件的静电-结构稠合问题。